3차원 수직 공정의 낸드 플래시 메모리(3D V낸드)가 2017년까지 폭발적인 성장을 할 것이라는 전망이 나왔다. 3D V낸드는 지난 8월 삼성전자가 상용화한 상태다.
15일 시장조사업체 IHS아이서플라이에 따르면 전체 낸드 시장에서 3D V낸드의 점유율이 올해 말 0.4%에서 내년 5.2%, 2015년 30.2%, 2016년 49.8%, 2017년 65.2%로 매년 급성장할 전망이다. 상용화 3년여만에 기존 물량의 절반 가량을 대체하고, 2017년에는 주력 제품으로 자리잡을 것이라는 분석이다.
지금까지 낸드 제조사들은 고용량 제품을 선보이고, 제조비용을 줄이기 위한 노력을 지속해왔다. 대표적인 것이 공정 미세화다. 공정이 세밀해질수록 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 낸드의 양이 늘어나, 전체적인 생산단가를 낮출 수 있다.
일반적으로 20㎚에서 18㎚로 공정을 미세화 할 경우, 트랜지스터 당 생산비용을 30%가량 절감할 수 있다. 그러나 그 이하 공정으로 미세화 하기 위해서는 많은 연구개발비와 설계비용이 투자된다. 이 때문에 낸드 제조사들은 적은 비용으로 공정 미세화와 같은 효과를 낼 수 있는 방법을 연구해왔다.
디 로빈슨 IHS아이서플라이 수석 연구원은 "낸드플래시 공급업체는 더 큰 용량의 제품을 싼 가격으로 공급할 수밖에 없기 때문에 앞으로 몇 년 사이 빠르게 3D 공정으로 전환할 것"이라고 전망했다.
세계 3D V낸드 시장은 삼성전자가 선도하고 있다. 삼성전자는 지난 8월 3D V낸드를 세계 최초로 양산하고, 이를 적용한 1TB급 기업용 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 선보였다.
SK하이닉스는 올해 말까지 관련 기술을 개발하고 2015년부터 양산체제에 들어갈 것으로 전해졌다. SK하이닉스 관계자는 "시장이 형성되고, 제품 품질이 안정화 할 경우 당초 예상보다 1년여 빠른 내년께 3D V낸드를 적용한 완제품을 선보일 계획"이라고 말했다.
샌디스크, 마이크론, 도시바 등은 아직 3D V낸드의 구체적인 제조계획은 밝히지 않았다. 당분간은 현재 사용하고 있는 수평 공정을 유지할 방침이다. 이는 3D V낸드와 관련한 기술을 개발하지 못했기 때문으로 풀이된다. 삼성전자와 이들의 기술격차는 1년 이상 벌어진 것으로 업계 관계자들은 전망했다.
IHS아이서플라이는 "3D V낸드의 다단계 구조 탓에 고장을 분석하는 것이 어려워 당장 생산은 어려울 것이다"고 설명했다.
서영진기자 artjuck@
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15일 시장조사업체 IHS아이서플라이에 따르면 전체 낸드 시장에서 3D V낸드의 점유율이 올해 말 0.4%에서 내년 5.2%, 2015년 30.2%, 2016년 49.8%, 2017년 65.2%로 매년 급성장할 전망이다. 상용화 3년여만에 기존 물량의 절반 가량을 대체하고, 2017년에는 주력 제품으로 자리잡을 것이라는 분석이다.
지금까지 낸드 제조사들은 고용량 제품을 선보이고, 제조비용을 줄이기 위한 노력을 지속해왔다. 대표적인 것이 공정 미세화다. 공정이 세밀해질수록 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 낸드의 양이 늘어나, 전체적인 생산단가를 낮출 수 있다.
일반적으로 20㎚에서 18㎚로 공정을 미세화 할 경우, 트랜지스터 당 생산비용을 30%가량 절감할 수 있다. 그러나 그 이하 공정으로 미세화 하기 위해서는 많은 연구개발비와 설계비용이 투자된다. 이 때문에 낸드 제조사들은 적은 비용으로 공정 미세화와 같은 효과를 낼 수 있는 방법을 연구해왔다.
디 로빈슨 IHS아이서플라이 수석 연구원은 "낸드플래시 공급업체는 더 큰 용량의 제품을 싼 가격으로 공급할 수밖에 없기 때문에 앞으로 몇 년 사이 빠르게 3D 공정으로 전환할 것"이라고 전망했다.
세계 3D V낸드 시장은 삼성전자가 선도하고 있다. 삼성전자는 지난 8월 3D V낸드를 세계 최초로 양산하고, 이를 적용한 1TB급 기업용 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 선보였다.
SK하이닉스는 올해 말까지 관련 기술을 개발하고 2015년부터 양산체제에 들어갈 것으로 전해졌다. SK하이닉스 관계자는 "시장이 형성되고, 제품 품질이 안정화 할 경우 당초 예상보다 1년여 빠른 내년께 3D V낸드를 적용한 완제품을 선보일 계획"이라고 말했다.
샌디스크, 마이크론, 도시바 등은 아직 3D V낸드의 구체적인 제조계획은 밝히지 않았다. 당분간은 현재 사용하고 있는 수평 공정을 유지할 방침이다. 이는 3D V낸드와 관련한 기술을 개발하지 못했기 때문으로 풀이된다. 삼성전자와 이들의 기술격차는 1년 이상 벌어진 것으로 업계 관계자들은 전망했다.
IHS아이서플라이는 "3D V낸드의 다단계 구조 탓에 고장을 분석하는 것이 어려워 당장 생산은 어려울 것이다"고 설명했다.
서영진기자 artjuck@
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