'20나노 양산' 반도체 미세공정 경쟁 불붙었다(종합)
기사입력 2014-03-12 09:06 최종수정 2014-03-12 09:31  |
| 삼성전자, 20나노 4Gb D램 세계 최초 양산 (서울=연합뉴스) 삼성전자는 이달부터 20나노(1나노 = 10억분의 1ｍ) 4기가비트(Gb) DDR3(Double Data Rate 3) D램을 본격적으로 양산한다고 11일 밝혔다. (삼성전자 제공) |
삼성 이어 하이닉스도 "하반기엔 20나노 현실화"
(서울=연합뉴스) 옥철 기자 = 한동안 잠잠하던 반도체 미세공정 경쟁이 다시 뜨거워지고 있다.
20나노(1나노 = 10억분의 1ｍ) 4기가비트(Gb) D램의 양산 체제가 현실로 다가오면서 차세대인 10나노급 D램을 향한 기술 경쟁이 시작될 조짐을 보인다. 삼성전자가 한발 앞서 나갔지만, SK하이닉스가 맹추격하는 모양새다.
반도체 업체들의 '나노 경쟁'은 웨이퍼 원판에서 집적도를 높인 칩을 얼마나 많이 만들어내느냐는 기술력의 승부다. 지름 30㎝짜리 원판에서 칩 200개를 만드느냐, 400개를 만드느냐에 따라 생산성과 수익성의 차이가 결정된다.
12일 반도체 업계와 시장조사업체들에 따르면 미세공정은 2012년 하반기 25나노 D램 개발에 성공한 이후 1년6개월가량 거의 답보 상태였다.
웨이퍼에 사진처럼 초정밀 설계도를 새기는 작업인 노광 기술이 관건이었다. 차세대 노광 장비로 불리는 EUV는 대당 1천억원대의 고가장비라 실제 생산라인에 수십대씩 배치하는 게 사실상 불가능했다.
노광 기술이 일종의 진입 장벽으로 작용하면서 25나노 미만으로는 좀처럼 미세공정 전환이 이뤄지지 못했다.
그러다 삼성이 개량형 이중 포토 노광 기술을 들고 나와 20나노 D램 생산에 성공했다고 발표하면서 분위기가 급반전했다.
삼성은 10나노급 D램의 선행 개발에 나서겠다며 자신감을 표출했다.
김기남 삼성전자 DS부문 메모리사업부 사장은 앞서 지난달 반도체산업협회장으로 취임하면서 "반도체 기술에 한계란 없다. 미세공정은 10나노급으로 발전할 것"이라고 공언했다.
그동안 25나노 D램 양산 체제를 구축하는 데 주력해온 D램 업계 2위 SK하이닉스는 올 하반기에는 20나노 제품 양산에 들어갈 수 있을 것으로 기대하고 있다.
하이닉스 관계자는 "20나노 D램 개발이 순조롭게 진행되고 있다"라면서 "하반기엔 20나노 D램 양산이 현실화할 수 있을 걸로 본다"라고 말했다.
시장조사업체 D램 익스체인지의 메모리 업체별 미세공정 비중을 보면 삼성은 작년 4분기 28나노 D램이 32%, 25나노가 28%를 차지했다. SK하이닉스는 29나노가 68%로 주력이다. 일본 엘피다를 합병한 미국 마이크론그룹은 다소 처진 30나노가 96%를 점했다.
올해 1분기 전망치로는 삼성에선 25나노가 45%로 주력 양산 체제에 들어간다. 하지만 삼성의 전략대로 20나노가 양산되면 전망치는 또 달라질 것으로 보인다.
다른 시장조사업체 아이서플라이의 전망으로는 삼성의 25나노 비중이 올해 1분기 10%, 2분기 17%로 예측됐다. SK하이닉스의 25나노 비중 전망은 1분기 1%, 2분기 6%로 점쳐졌다. 하이닉스는 올 4분기엔 25나노 비중을 26%까지 끌어올릴 것으로 아이서플라이는 전망했다.
삼성전자와 SK하이닉스는 지난 연말 차세대 모바일 메모리인 8기가비트 LPDDR4(Low Power DDR4)를 선보였을 때 공교롭게도 같은 날 개발 소식을 전한 적이 있다.
한편, 시장 조사기관 가트너에 따르면 세계 D램 메모리 시장은 올해 379억 달러 규모로 작년(356억 달러)보다 6.5% 성장할 것으로 전망됐다.
oakchul@yna.co.kr
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